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  • Source: Modern Physics Letters B. Unidade: IFSC

    Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, TEMPERATURA (EFEITOS), CARBONO, NANOPARTÍCULAS

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      JOYA, M. R. e ZANATTA, Antonio Ricardo e BARBA-ORTEGA, J. Raman spectroscopy of temperature induced effects in four carbon allotropes. Modern Physics Letters B, v. 27, n. 28, p. 1350203-1-1350203-10, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1142/S0217984913502035. Acesso em: 21 maio 2024.
    • APA

      Joya, M. R., Zanatta, A. R., & Barba-Ortega, J. (2013). Raman spectroscopy of temperature induced effects in four carbon allotropes. Modern Physics Letters B, 27( 28), 1350203-1-1350203-10. doi:10.1142/S0217984913502035
    • NLM

      Joya MR, Zanatta AR, Barba-Ortega J. Raman spectroscopy of temperature induced effects in four carbon allotropes [Internet]. Modern Physics Letters B. 2013 ; 27( 28): 1350203-1-1350203-10.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217984913502035
    • Vancouver

      Joya MR, Zanatta AR, Barba-Ortega J. Raman spectroscopy of temperature induced effects in four carbon allotropes [Internet]. Modern Physics Letters B. 2013 ; 27( 28): 1350203-1-1350203-10.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217984913502035
  • Source: Physica Status Solidi B. Conference titles: Latin American Symposium on Solid State Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FILMES FINOS, CRISTALIZAÇÃO

    How to cite
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    • ABNT

      FAJARDO, F. e ZANATTA, Antonio Ricardo e CHAMBOULEYRON, I. Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH. . Acesso em: 21 maio 2024. , 2005
    • APA

      Fajardo, F., Zanatta, A. R., & Chambouleyron, I. (2005). Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH.
    • NLM

      Fajardo F, Zanatta AR, Chambouleyron I. Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. 2005 ; 242( 9): 1906-1909.[citado 2024 maio 21 ]
    • Vancouver

      Fajardo F, Zanatta AR, Chambouleyron I. Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si thin films. Physica Status Solidi B. 2005 ; 242( 9): 1906-1909.[citado 2024 maio 21 ]

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